Obecnie materia?ami o najwi?kszym potencjale rozwoju s? pó?przewodniki o szerokiej przerwie pasmowej (WBG) o du?ej mocy i wysokiej cz?stotliwo?ci, w tym w?glik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN), które s? stosowane g?ównie w pojazdach elektrycznych (EV) i na rynku akumulatorów do szybkiego ?adowania. Wed?ug szacunków firmy badawczej TrendForce, warto?? wyj?ciowa pó?przewodników trzeciej generacji wzro?nie z 980 milionów USD w 2021 roku do 4,71 miliarda USD w 2025 roku, przy corocznym wzro?cie 48%.
SiC nadaje si? do zastosowa? wymagaj?cych du?ej mocy, takich jak magazynowanie energii, energia wiatrowa, energia s?oneczna, pojazdy elektryczne, pojazdy nowej generacji (NEV) i inne bran?e wykorzystuj?ce bardzo wymagaj?ce systemy akumulatorowe. W?ród tych bran?, pojazdy elektryczne przyci?gn??y ogromn? uwag? rynku. Jednak wi?kszo?? pó?przewodników mocy stosowanych w pojazdach elektrycznych, które s? obecnie dost?pne na rynku, to pó?przewodniki na bazie krzemu, takie jak Si IGBT i Si MOSFET. Jednak wraz ze stopniowym rozwojem systemów zasilania akumulatorów pojazdów elektrycznych do poziomu napi?? przekraczaj?cych 800 V, w porównaniu z SiC, SiC b?dzie zapewnia? lepsze parametry w systemach wysokonapi?ciowych. Oczekuje si?, ?e SiC stopniowo zast?pi cz??? podstawowych konstrukcji Si, znacznie poprawi osi?gi pojazdów i zoptymalizuje ich architektur?. Szacuje si?, ?e do 2025 roku rynek pó?przewodników mocy SiC osi?gnie warto?? 3,39 mld USD.
GaN nadaje si? do zastosowa? o wysokiej cz?stotliwo?ci, w tym do urz?dze? komunikacyjnych i szybkiego ?adowania telefonów komórkowych, tabletów i laptopów. W porównaniu z tradycyjnym szybkim ?adowaniem, szybkie ?adowanie GaN stwarza mo?liwo?? uzyskania wi?kszej szybko?ci ?adowania w mniejszym opakowaniu, które jest ?atwiejsze do przenoszenia. Zalety te okaza?y si? atrakcyjne dla wielu producentów OEM i ODM, a kilku z nich zacz??o szybko rozwija? ten materia?. Szacuje si?, ?e do 2025 r. rynek pó?przewodników mocy GaN osi?gnie warto?? 1,32 mld USD.
TrendForce podkre?la, ?e produkcja pó?przewodników mocy trzeciej generacji jest bardziej z?o?ona. S? one trudniejsze do wytworzenia i dro?sze w porównaniu z tradycyjnymi podstawami Si. Korzystaj?c z obecnego rozwoju g?ównych dostawców substratów, firmy takie jak Wolfspeed, II-VI i Qromis sukcesywnie zwi?kszaj? swoje moce produkcyjne i b?d? masowo produkowa? 8-calowe substraty w drugim kwartale 2022 roku. Szacuje si?, ?e warto?? produkcji pó?przewodników mocy trzeciej generacji b?dzie nadal ros?a w najbli?szych latach.
